型号:  AUIRGSL30B60K

功能描述:  Infineon AUIRGSL30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO262

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  78A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.35V @ 15V，30A

功率 - 最大值：  370W

开关能量：  350µJ（开），825µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  102nC

25°C 时 Td（开/关）值：  46ns/185ns

测试条件：  400V，30A，10 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-262

最大连续集电极电流：  78 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  370 W

封装类型：  I2PAK (TO-262)

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  30kHz

晶体管配置：  单

长度：  10.67mm

宽度：  4.83mm

高度：  11.3mm

尺寸：  10.67 x 4.83 x 11.3mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs