型号:  AUIRL3705ZSTRL

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  60nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2880pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  130W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8 毫欧 @ 52A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  75A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  60nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2880pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  8 毫欧 @ 52A，10V

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  55V

连续漏极电流ID：  86A

供应商器件封装：  D2PAK

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  44A

Rds On-漏源导通电阻：  8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  16V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  130W

通道模式：  Enhancement

资格：  AEC-Q101

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

下降时间：  83ns

上升时间：  240ns

典型关闭延迟时间：  26ns

典型接通延迟时间：  17ns

Vds-漏源极击穿电压：  55V

封装：  Reel

无铅情况/RoHs：  否