型号:  AUIRLL2705

功能描述:  Single N-Channel 55 V 1 W 48 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-223

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SOT223

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  5.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  48nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  870pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  40 毫欧 @ 3.8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装形式Package：  SOT-223

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  55V

连续漏极电流ID：  5.2A

供应商器件封装：  SOT-223

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs