型号:  AUIRLR3105

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3105, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  37 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  20nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  710pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  57W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D-PAK（TO-252AA）

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  25 A

最大漏源电压：  55 V

最大漏源电阻值：  37 m0hms

最大栅阈值电压：  3V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -16 V、+16 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  57 W

高度：  2.39mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.39mm

每片芯片元件数目：  1

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  20 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  710 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  25 ns

典型接通延迟时间：  8 ns

宽度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.73mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs