型号: AUIRLS8409-7TRL
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： D2PAK
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 266nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 16488pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 0.75 毫欧 @ 100A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）
安装风格： SMD/SMT
资格： AEC-Q101
封装： CutTape
高度： 4.4mm
长度： 10mm
宽度： 9.25mm
封装： Reel
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
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