型号: AUIRS20162STR
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: SOIC 8N
驱动配置: 高压侧
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: N 沟道 MOSFET
电压 - 电源: 4.4 V ~ 20 V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 250mA,250mA
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 150V
上升/下降时间(典型值): 200ns,200ns
工作温度: -55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-SOIC
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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