型号: AUIRS20162STR
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： SOIC 8N
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 4.4 V ~ 20 V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，250mA
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 150V
上升/下降时间（典型值）： 200ns，200ns
工作温度： -55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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