型号: AUIRS21271STR
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 9 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 80ns，40ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOIC 8N
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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联系人：董先生
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联系人：木易
电话：13352985419
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联系人：刘丽君
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联系人：沈绪根
电话：18148590336
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