型号: B65805J Y 66
功能描述:
制造商: EPCOS/TDK
内核类型： RM
电感因数（Al）： 9.6µH
偏差： -30%，+40%
间隙： 无缺口
有效磁导率 (µe)： 7090
初始磁导率（µi）： 13000
材料： T66
磁心因数（ΣI/A） mm-： 0.93
有效长度（e） mm： 22.1
有效面积（Ae）mm²： 23.8
最小磁心横截面（Amin） mm²： 18
有效磁体体积（Ve） mm³： 526
表面： 无涂层
供应商器件封装： RM 5
高度： 5.25mm
长度： 14.60mm
宽度： 6.80mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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