型号: B66302G X149
功能描述:
制造商: EPCOS/TDK
内核类型: E
偏差: -20%,+30%
间隙: 无缺口
有效磁导率 (µe): 760
初始磁导率(µi): 1500
材料: N49
磁心因数(ΣI/A) mm-: 3.1
有效长度(e) mm: 15.5
有效面积(Ae)mm²: 5
最小磁心横截面(Amin) mm²: 3.6
有效磁体体积(Ve) mm³: 78
表面: 无涂层
供应商器件封装: E 8 x 8
高度: 4.10mm
长度: 9.00mm
宽度: 2.00mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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