型号: B66302G X149
功能描述:
制造商: EPCOS/TDK
内核类型： E
偏差： -20%，+30%
间隙： 无缺口
有效磁导率 (µe)： 760
初始磁导率（µi）： 1500
材料： N49
磁心因数（ΣI/A） mm-： 3.1
有效长度（e） mm： 15.5
有效面积（Ae）mm²： 5
最小磁心横截面（Amin） mm²： 3.6
有效磁体体积（Ve） mm³： 78
表面： 无涂层
供应商器件封装： E 8 x 8
高度： 4.10mm
长度： 9.00mm
宽度： 2.00mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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