型号: B66432G X195
功能描述:
制造商: EPCOS/TDK
内核类型： EV
偏差： -20%，+30%
间隙： 无缺口
有效磁导率 (µe)： 2104
材料： N95
磁心因数（ΣI/A） mm-： 0.76
有效长度（e） mm： 74.8
有效面积（Ae）mm²： 99
最小磁心横截面（Amin） mm²： 95
有效磁体体积（Ve） mm³： 7410
表面： 无涂层
供应商器件封装： EV 30/16/13
高度： 16.40mm
长度： 29.70mm
宽度： 12.50mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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