型号: BA12004BF-E2
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型： 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1.6V @ 500µA，350mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值： 620mW
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC
供应商器件封装： 16-SOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：康R
电话：13530003715
Q Q:
联系人：肖尔豪
电话：15989322669
Q Q:
联系人：白面书生
电话：15889481983
Q Q:
