型号: BA12004BF-E2
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型： 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1.6V @ 500µA，350mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值： 620mW
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC
供应商器件封装： 16-SOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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