型号:  BBS3002-DL-1E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  100A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4V，10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  280nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  13200pF @ 20V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  90W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  5.8 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  100A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  280nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  13200pF @ 20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  5.8 毫欧 @ 50A，10V

FET 类型：  P 沟道

漏源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  100A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4V，10V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs