型号: BC637
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值: 625mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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