型号: BC638G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 150mA，2V
功率 - 最大值： 625mW
频率 - 跃迁： 150MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装： TO-92-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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