型号: BC847B/DG/B4R
功能描述: TRANSISTOR GEN PURP
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值): 400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值: 200mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
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