型号: BC850BWT/R
功能描述: Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin UMT T/R
制造商: NXP Semiconductors
集电极电流（ DC）（最大值）： 0.1 A
集电极 - 基极电压： 50 V
集电极 - 发射极电压： 45 V
发射极 - 基极电压： 5 V
频率（最大）： 100 MHz
功率耗散： 0.2 W
安装： Surface Mount
工作温度范围： -65C to 150C
包装类型： SC-70
引脚数： 3
元件数： 1
直流电流增益（最小值）： 200
工作温度分类： Military
弧度硬化： No
晶体管极性： NPN
频率： 100 MHz
直流电流增益： 200
集电极电流（DC ）： 0.1 A
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