型号: BC850CWT/R
功能描述: Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin UMT T/R
制造商: NXP Semiconductors
集电极电流( DC)(最大值): 0.1 A
集电极 - 基极电压: 50 V
集电极 - 发射极电压: 45 V
发射极 - 基极电压: 5 V
频率(最大): 100 MHz
功率耗散: 0.2 W
安装: Surface Mount
工作温度范围: -65C to 150C
包装类型: SC-70
引脚数: 3
元件数: 1
直流电流增益(最小值): 420
工作温度分类: Military
弧度硬化: No
晶体管极性: NPN
频率: 100 MHz
直流电流增益: 420
集电极电流(DC ): 0.1 A
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