型号:  BC856B TR

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  65 V

集电极—基极电压 VCBO:  80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.65 V

最大直流电集电极电流:  200 mA

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BC856B

直流电流增益 hFE 最大值:  475 at 2 mA, 5 V

封装:  Reel

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  220 at 2 mA, 5 V

Pd-功率耗散:  350 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BC856B PBFREE TR