型号: BC856B/DG/B4R
功能描述: TRANSISTOR GEN PURP
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 65V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 125 @ 2mA，5V
功率 - 最大值: 250mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：刘波
Q Q:
联系人：朱华军
电话：13556803120
Q Q:
联系人：钟
电话：13691913889
Q Q:
