型号: BC856BDW1T3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 65 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150 at 10 uA at 5 V
配置: Dual
最大工作频率: 100 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363
封装: Reel
集电极连续电流: - 100 mAdc
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 380 mW
工厂包装数量: 10000
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