型号: BC857BE6433HTMA1
功能描述: Infineon BC857BE6433HTMA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:125, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值: 330mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3
供应商器件封装: PG-SOT23-3
最大直流集电极电流: 100 mA
最大集电极-发射极电压: 45 V
封装类型: SOT-23
最大功率耗散: 330 mW
最小直流电流增益: 125
晶体管配置: 单
最大集电极-基极电压: 50 V
最大发射极-基极电压: 5 V
引脚数目: 3
每片芯片元件数目: 1
晶体管材料: Si
最高工作温度: +150 °C
最大集电极-发射极饱和电压: 650 mV
最大基极-发射极饱和电压: 850 mV
长度: 2.9mm
宽度: 1.3mm
尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm
高度: 0.9mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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