型号: BC857BWT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
电流-集电极(Ic)(最大值): 100mA
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 650mV @ 5mA,100mA
电流-集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V
功率-最大值: 150mW
频率-跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70-3(SOT323)
封装形式Package: SC-70
极性Polarity: PNP
集电极最大允许电流Ic: 0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 45V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 100MHz
封装/外壳: SC-70,SOT-323
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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