型号: BC857C/DG/B4R
功能描述: TRANSISTOR GEN PURP
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 125 @ 2mA，5V
功率 - 最大值: 250mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
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