型号:  BC858AE6327HTSA1

功能描述:  Infineon BC858AE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  30V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  125 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：  330mW

频率 - 跃迁：  250MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT23

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

最大直流集电极电流：  100 mA

最大集电极-发射极电压：  30 V

封装类型：  SOT-23

最大功率耗散：  300 mW

最小直流电流增益：  420

晶体管配置：  单

最大发射极-基极电压：  5 V

最大工作频率：  250 MHz

引脚数目：  3

每片芯片元件数目：  1

最大基极-发射极饱和电压：  850 mV

最高工作温度：  +150 °C

高度：  0.9mm

尺寸：  2.9 x 1.3 x 0.9mm

最大集电极-发射极饱和电压：  650 mV

宽度：  1.3mm

长度：  2.9mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs