型号: BC858C
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 650mV @ 5mA，100mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 420 @ 2mA，5V
功率 - 最大值： 310mW
频率 - 跃迁： 150MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
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