型号: BC859CLT3G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 100 MHz (Min)
最大工作温度: + 150 C
商标: Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 420 at 2 mA at 5 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 mW
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
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联系人：廖先生，连敏妹
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联系人：陈敏
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联系人：Alien
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联系人：辜先生
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联系人：朱先生
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联系人：庄小姐
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联系人：陈浩坤
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联系人：sam
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Q Q:
