型号:  BC868.115

功能描述:   Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  85 @ 500mA, 1V

功率 - 最大：  1.2W

频率转换：  170MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

引脚数：  4

最小直流电流增益：  50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V

最大集电极发射极饱和电压：  0.5@100mA@1A|0.6@200mA@2A V

最大集电极基极电压：  32 V

最大功率耗散：  1350 mW

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  2

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-89

最低工作温度：  -55

最大功率耗散：  1350

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  170(Typ)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  32

供应商封装形式：  SOT-89

最大集电极发射极电压：  20

类型：  NPN

铅形状：  Flat

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  170MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

供应商设备封装：  SOT-89-3

功率 - 最大：  1.2W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  85 @ 500mA, 1V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6096-1

类别：  Medium Power

配置：  Dual Collector, Single

外形尺寸：  4.6 x 2.6 x 1.6mm

身高：  1.6mm

长度：  4.6mm

最大集电极发射极电压：  20 V

集电极最大直流电流：  2 A

最大基地发射极电压：  5 V

最大工作频率：  170 MHz

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  SOT-89

宽度：  2.6mm

工厂包装数量：  1000

增益带宽产品fT：  60 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  50 at 5 mA at 10 V, 85 at 500 mA at 1 V, 60 at 1 A at 1 V, 40 at 2 A at 1 V

直流电流增益hFE最大值：  50 at 5 mA at 10 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  20 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  32 V