型号:  BCM856DS,115

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-74-6

晶体管极性:  PNP

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 65 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

集电极—射极饱和电压:  - 200 mV

最大直流电集电极电流:  - 200 mA

增益带宽产品fT:  175 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:  450

高度:  1 mm (Max)

长度:  3.1 mm (Max)

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  1.7 mm (Max)

商标:  Nexperia

集电极连续电流:  - 100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  200

Pd-功率耗散:  380 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  10.800 mg