型号:  BCM856SH6778XTSA1

功能描述:  Infineon BCM856SH6778XTSA1, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 250 MHz, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  2 PNP（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  65V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：  250mW

频率 - 跃迁：  250MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-VSSOP

供应商器件封装：  PG-SOT363-6

晶体管类型：  PNP

最大直流集电极电流：  100 mA

最大集电极-发射极电压：  65 V

封装类型：  SOT-363 (SC-88)

最大功率耗散：  250 mW

最小直流电流增益：  200

晶体管配置：  隔离式

最大集电极-基极电压：  -80 V

最大发射极-基极电压：  -5 V

最大工作频率：  250 MHz

引脚数目：  6

每片芯片元件数目：  2

最大基极-发射极饱和电压：  850 mV

最高工作温度：  +150 °C

高度：  0.8mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

最大集电极-发射极饱和电压：  650 V

宽度：  1.25mm

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs