型号:  BCR 185 E6327

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  PNP

典型输入电阻器:  10 kOhms

典型电阻器比率:  0.21

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:  70

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极连续电流:  100 mA

峰值直流集电极电流:  100 mA

Pd-功率耗散:  200 mW

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BCR185

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

发射极 - 基极电压 VEBO:  50 V

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

最大直流电集电极电流:  100 mA

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BCR185E6327HTSA1 BCR185E6327XT SP000010806

单位重量:  8 mg