型号:  BCR08PNH6327XTSA1

功能描述:  BCR08P Series NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array - SOT-363-6

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电阻器-基底（R1）（欧姆）：  2.2k

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：  47k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  300mV @ 500µA，10mA

频率-跃迁：  170MHz

功率-最大值：  250mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT363

封装形式Package：  SOT-363

极性Polarity：  NPN+PNP

集电极最大允许电流Ic：  100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：  50V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）：  2.2 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）：  47 千欧

供应商器件封装：  PG-SOT363-6

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs