型号:  BCR112W

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SOT323

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

典型输入电阻器：  4.7kOhms

典型电阻器比率：  1

安装风格：  SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min：  20

集电极—发射极最大电压 VCEO：  50V

集电极连续电流：  100mA

峰值直流集电极电流：  100mA

Pd-功率耗散：  250mW

最小工作温度：  -65C

最大工作温度：  +150C

集电极—基极电压 VCBO：  50V

直流电流增益 hFE 最大值：  20

发射极 - 基极电压 VEBO：  10V

高度：  0.9mm

长度：  2mm

宽度：  1.25mm

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

fT：  140.0 MHz

Budgetary Price €€/1k：  0.02

Ptot max：  250.0mW

Polarity：  NPN (Single)

VEBO max：  10.0V

Mounting：  SMT

VCE(sat) max：  0.3 V

VCBO max：  50.0V

Vi (on) max：  1.5V

R2：  4.7 kΩ

ICBO max：  100.0nA

Vi (on) min：  1.02mA / 0.3V

hFE min：  20.0

Vi (off) max：  1.5100µA / 5V

R1 / R2：  1.0

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs