型号: BCR116E6433HTMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 150MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 5mA，5V
电阻器 - 基底（R1）： 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）： 47 kOhms
供应商器件封装： PG-SOT23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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