型号: BCR148SH6327XTSA1
功能描述: BCR148 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-363-6
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 70 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 300mV @ 500µA,10mA
频率-跃迁: 100MHz
功率-最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT363
封装形式Package: SOT-363
极性Polarity: NPN
集电极最大允许电流Ic: 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO: 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1): 47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2): 47 千欧
供应商器件封装: PG-SOT363-6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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