型号:  BCR198E6433HTMA1

功能描述:  Infineon BCR198E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）：  47 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：  47 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：  190MHz

功率 - 最大值：  200mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

晶体管类型：  PNP

每片芯片元件数目：  1

最大集电极-发射极电压：  50 V

典型输入电阻器：  47 k0hms

封装类型：  SOT-23

引脚数目：  3

最小直流电流增益：  70

最大功率耗散：  200 mW

晶体管配置：  单

最大集电极-发射极饱和电压：  0.3 V

最大发射极-基极电压：  10 V

长度：  2.9mm

高度：  0.9mm

尺寸：  2.9 x 1.3 x 0.9mm

宽度：  1.3mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs