型号:  BCR35PNH6433XTMA1

功能描述:  Infineon BCR35PNH6433XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）：  10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）：  47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  300mV @ 500µA，10mA

频率 - 跃迁：  150MHz

功率 - 最大值：  250mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-VSSOP

供应商器件封装：  PG-SOT363-6

晶体管类型：  NPN + PNP

每片芯片元件数目：  2

最大集电极-发射极电压：  50 V

典型输入电阻器：  10 k0hms

封装类型：  SOT-363 (SC-88)

引脚数目：  6

最小直流电流增益：  70

最大功率耗散：  250 mW

晶体管配置：  隔离式

最大集电极-发射极饱和电压：  0.3 V

最大发射极-基极电压：  6 V

典型电阻比：  0.21

长度：  2mm

高度：  0.8mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

宽度：  1.25mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs