型号:  BCR523E6327HTSA1

功能描述:  BCR523 Series NPN 50 V 500 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN - 预偏压

电阻器-基底（R1）（欧姆）：  1k

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：  10k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 50mA，5V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  300mV @ 2.5mA，50mA

电流-集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

频率-跃迁：  100MHz

Power-Max：  330mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT23

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  NPN

集电极最大允许电流Ic：  500mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：  50V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）：  1 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：  10 kOhms

功率 - 最大值：  330mW

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs