型号: BCV26E6327HTSA1
功能描述: BCV26 Series PNP 30 V 500 mA SMT Silicon Darlington Transistor - SOT-23-3
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： PNP - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）： 500mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 1V @ 100µA，100mA
电流-集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 20000 @ 100mA，5V
功率-最大值： 360mW
频率-跃迁： 200MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT23
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： PNP
集电极最大允许电流Ic： 0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 30V
电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V
供应商器件封装： PG-SOT23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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