型号:  BCV49H6327XTSA1

功能描述:  Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-89封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  1V @ 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  10000 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：  1W

频率 - 跃迁：  150MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT89

供应商器件封装：  SOT-89-3

晶体管类型：  NPN

最大连续集电极电流：  500 mA

最大集电极-发射极电压：  60 V

最大发射极-基极电压：  10 V

封装类型：  SOT-89

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

每片芯片元件数目：  1

最小直流电流增益：  2000

最大基极-发射极饱和电压：  1.5 V

最大集电极-基极电压：  80 V

最大集电极-发射极饱和电压：  1 V

最大集电极-基极截止电流：  10µA

宽度：  2.5mm

最大功率耗散：  1 W

最高工作温度：  +150 °C

长度：  4.5mm

高度：  1.5mm

基电流：  100mA

尺寸：  4.5 x 2.5 x 1.5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs