型号:  BCW 68G E6327

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  45 V

集电极—基极电压 VCBO:  60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.7 V

最大直流电集电极电流:  1 A

增益带宽产品fT:  200 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BCW68

直流电流增益 hFE 最大值:  400

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

集电极连续电流:  800 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  160

Pd-功率耗散:  330 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BCW68GE6327HTSA1 BCW68GE6327XT SP000015039

单位重量:  8 mg