型号:  BCW68GE6327

功能描述:   双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

配置:  Single

晶体管极性:  PNP

集电极—基极电压 VCBO:  60 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:  45 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

最大直流电集电极电流:  0.8 A

增益带宽产品fT:  200 MHz

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:  50 at 100 uA at 10 V, 120 at 10 mA at 1 V, 160 at 100 mA at 1 V, 60 at 500 mA at 2 V

最小工作温度:  - 65 C

封装:  Reel

Pd-功率耗散:  330 mW

系列:  BCW68

工厂包装数量:  3000

零件号别名:  BCW68GE6327HTSA1 BCW68GE6327XT SP000015039