型号:  BCX56-16.115

功能描述:   Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  80V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 150mA, 2V

功率 - 最大：  1.25W

频率转换：  180MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

类型：  NPN

引脚数：  4

最大集电极发射极电压：  80 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  100@150mA@2V

最大工作频率：  180(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.5@50mA@500mA V

最大集电极基极电压：  100 V

工作温度：  -65 to 150 °C

最大功率耗散：  1250 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  1

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-89

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  1250

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  180(Typ)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  100

供应商封装形式：  SOT-89

最大集电极发射极电压：  80

铅形状：  Flat

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  180MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  80V

供应商设备封装：  SOT-89-3

功率 - 最大：  1.25W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 150mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1642-1

工厂包装数量：  1000

增益带宽产品fT：  180 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 150 mA at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 150 mA at 2 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  80 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  100 V

最低工作温度：  - 65 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

零件号别名：  BCX56-16 T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（DC ）：  1 A

集电极 - 基极电压：  100 V

集电极 - 发射极电压：  80 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率：  180 MHz

功率耗散：  1.25 W

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  SOT-89

元件数：  1

直流电流增益：  100

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :80V

Transition Frequency ft：  :180MHz

功耗：  :500mW

DC Collector Current：  :1A

DC Current Gain hFE：  :100

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-89