型号:  BCY58-VII

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-18

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  32 V

集电极—基极电压 VCBO:  32 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  7 V

集电极—射极饱和电压:  0.7 V

最大直流电集电极电流:  200 mA

增益带宽产品fT:  150 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 200 C

封装:  Bulk

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  40 At 100 mA, 1 V

Pd-功率耗散:  340 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BCY58-VII PBFREE