型号:  BD13610STU

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-126-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 45 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 45 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

集电极—射极饱和电压:  - 0.5 V

最大直流电集电极电流:  1.5 A

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BD136

直流电流增益 hFE 最大值:  250

高度:  11 mm

长度:  8 mm

封装:  Tube

宽度:  3.25 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:  - 1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  40

Pd-功率耗散:  12.5 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1920

子类别:  Transistors

单位重量:  761 mg