型号: BD139-10
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: SOT-32-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1.5 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BD139
高度: 10.8 mm
长度: 7.8 mm
封装: Tube
宽度: 2.7 mm
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 63
Pd-功率耗散: 1250 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
单位重量: 60 mg
联系人：陈欣
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Q Q:
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