型号:  BD239C

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Pwr Transistors

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  100 V

集电极—基极电压 VCBO:  115 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.7 V

最大直流电集电极电流:  2 A

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BD239C

直流电流增益 hFE 最大值:  40

高度:  9.15 mm (Max)

长度:  10.4 mm (Max)

封装:  Tube

宽度:  4.6 mm (Max)

商标:  STMicroelectronics

集电极连续电流:  2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  40

Pd-功率耗散:  30000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  6 g