BD435STU规格参数_BD435STU全国代理商/分销商

型号: BD435STU
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-126-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 32 V
集电极—基极电压 VCBO: 32 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.2 V
最大直流电集电极电流: 4 A
增益带宽产品fT: 3 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BD435
高度: 11 mm
长度: 8 mm
封装: Tube
宽度: 3.25 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
Pd-功率耗散: 36 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1920
子类别: Transistors
零件号别名: BD435STU_NL
单位重量: 761 mg