型号:  BD442G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 36W PNP

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-225-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  80 V

集电极—基极电压 VCBO:  80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.8 V

最大直流电集电极电流:  4 A

增益带宽产品fT:  3 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BD442

高度:  11.04 mm (Max)

长度:  7.74 mm (Max)

封装:  Bulk

宽度:  2.66 mm (Max)

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  15

Pd-功率耗散:  36 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  Transistors

单位重量:  2 g