型号: BD6562FV-LBE2
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
驱动配置： 低压侧
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 25 V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 600mA，600mA
输入类型： 非反相
工作温度： -25°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装： 16-SSOPB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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