型号: BDP949H6327XT
功能描述: Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
Package： 4SC-61B
Packaging： Tape & Reel
Configuration： Single Dual Gate
Maximum Gate Source Voltage： 7 V
Maximum Drain Source Voltage： 3 V
Maximum Drain Gate Voltage： 7 V
集电极最大直流电流： 3
最小直流电流增益： 25@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@2V
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： SOT-223
最低工作温度： -65
最大功率耗散： 5000
最大基地发射极电压： 5
Maximum Transition Frequency ： 100(Typ)
封装： Tape and Reel
每个芯片的元件数： 1
最大集电极基极电压： 60
供应商封装形式： SOT-223
最大集电极发射极电压： 60
类型： NPN
引脚数： 4
铅形状： Gull-wing
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