型号: BDP949H6327XT
功能描述: Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
Package: 4SC-61B
Packaging: Tape & Reel
Configuration: Single Dual Gate
Maximum Gate Source Voltage: 7 V
Maximum Drain Source Voltage: 3 V
Maximum Drain Gate Voltage: 7 V
集电极最大直流电流: 3
最小直流电流增益: 25@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@2V
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
标准包装名称: SOT-223
最低工作温度: -65
最大功率耗散: 5000
最大基地发射极电压: 5
Maximum Transition Frequency : 100(Typ)
封装: Tape and Reel
每个芯片的元件数: 1
最大集电极基极电压: 60
供应商封装形式: SOT-223
最大集电极发射极电压: 60
类型: NPN
引脚数: 4
铅形状: Gull-wing
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