型号:  BDP949H6327XT

功能描述:   Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  Infineon Technologies AG

Package：  4SC-61B

Packaging：  Tape & Reel

Configuration：  Single Dual Gate

Maximum Gate Source Voltage：  7 V

Maximum Drain Source Voltage：  3 V

Maximum Drain Gate Voltage：  7 V

集电极最大直流电流：  3

最小直流电流增益：  25@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@2V

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-223

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  5000

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  100(Typ)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  60

供应商封装形式：  SOT-223

最大集电极发射极电压：  60

类型：  NPN

引脚数：  4

铅形状：  Gull-wing